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論文

Effect of solute atoms on swelling in Ni alloys and pure Ni under He$$^{+}$$ ion irradiation

若井 栄一; 江沢 正志*; 今村 淳子*; 武中 剛志*; 田辺 哲朗*; 大嶋 隆一郎*

Journal of Nuclear Materials, 307-311(Part.1), p.367 - 373, 2002/12

 被引用回数:29 パーセンタイル:84.85(Materials Science, Multidisciplinary)

Ni合金の照射による微細組織変化に及ぼす溶質原子の効果を500$$^{circ}$$Cで25keVのヘリウムイオン照射により調べた。用いた試料はNi及び溶質原子のサイズ因子が異なる数種類のNi合金(Ni-Si,Ni-Co,Ni-Cu,Mi-Mn,Ni-Pd,Ni-Nb)である。1$$times$$10$$^{19}$$ions/m$$^{2}$$まで照射すると約1.5$$times$$10$$^{22}$$m$$^{-3}$$の高密度の転位ループが形成されたが、アンダーサイズ因子を持つNi-Si合金のみ、その密度がやや高くなった。また、4$$times$$10$$^{20}$$ions/m$$^{2}$$まで照射した試料では、キャビティが成長し、溶質原子のサイズ因子に依存してスエリングが0.2%から4.5%まで変化した。キャビティの数密度は溶質原子のサイズ因子の絶対値の大きさにしたがって増加する傾向にあり、スエリング値は増加した。これらの結果と反応速度論による点欠陥濃度の計算結果からヘリウム及び原子空孔の移動度し、溶質原子とヘリウム及び原子空孔との相互作用によって影響を受けることを推測した。

論文

Ion beam induced charge gate rupture of oxide on 6H-SiC

Lee, K. K.; 西島 俊二*; 大島 武; Jamieson, D. N.*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 181(1-4), p.324 - 328, 2001/07

 被引用回数:5 パーセンタイル:38.96(Instruments & Instrumentation)

6H-SiC上に作製した酸化膜(SiO$$_{2}$$)に発生する固定電荷及びSiC/SiO$$_{2}$$界面の準位をイオンビーム誘起電流(IBIC), エレクトロネッセンス(EL), キャパシタンス測定(C-V)により調べた。C-V測定より、SiC/SiO$$_{2}$$界面に多量の正に帯電したトラップが存在することが分かった。このトラップは酸化膜中にもともと存在する欠陥及びIBIC測定のためのへリウムイオン照射により生成した欠陥と考えられる。ELより1.36, 1.6, 2.3及び2.9eVの発光線が観測された。このうち1.36と2.3eVの発光線はSiC中に生成された欠陥に起因し、SiC素子の耐放射線性に影響を及ぼすと考えられる。ヘリウムイオン照射によるSiC上の酸化膜破壊も観測された。

論文

Damage accumulation in Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ during H$$_{2+}$$ or He$$^{+}$$ ion irradiation

笹島 尚彦*; 松井 恒雄*; 古野 茂実*; 北條 喜一; 大津 仁*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 148(1-4), p.745 - 751, 1999/00

 被引用回数:36 パーセンタイル:90.62(Instruments & Instrumentation)

200KV電顕付設イオン照射装置を用いて、Al$$_{2}$$O$$_{3}$$に水素またはHeイオンを照射し照射損傷過程を観察した。水素イオン照射では、673K以下では、照射欠陥及びバブルは均一に分布し、照射量の増加にともない数密度が増加した。923K以上の高温で水素バブルが照射欠陥(ループ)中心部に集中して発生することを初めて見いだした。またHeイオン照射ではすべての照射温度で、照射欠陥及びバブルは均一分布を示した。

論文

Damage evolution in TiC crystals during hydrogen and helium dual-ion beam irradiation

北條 喜一; 大津 仁*; 古野 茂実*; 出井 数彦*; 櫛田 浩平; 笹島 尚彦*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 148(1-4), p.720 - 725, 1999/00

 被引用回数:4 パーセンタイル:38.4(Instruments & Instrumentation)

TiCの照射損傷機構を明らかにするため、水素とヘリウムをそれぞれ単独に又は同時に照射し、その損傷過程を電子顕微鏡内で連続観察した。その結果、室温から高温(1423K)までどの温度領域でも非晶質化は観察されなかった。この実験からTiCが照射損傷に対して非常に安定であることが示された。

論文

In-situ observation of the migration and growth of helium bubbles in aluminum

小野 興太郎*; 古野 茂実; 北條 喜一; 紀 隆雄*; 出井 数彦*; 高岡 修*; 久保 昇*; 水野 薫*; 伊藤 一義*

Journal of Nuclear Materials, 191-194, p.1269 - 1273, 1992/00

 被引用回数:28 パーセンタイル:89.56(Materials Science, Multidisciplinary)

金属中のヘリウムバブルの成長と移動の機構を調べるため、Heイオンを照射したAlの焼鈍実験を行った。670K以上の温度でバブルの密度の減少と直径の増加が認められるようになった。この間バブルの合体および消滅等も観察された。バブルの移動については、移動距離の平均2乗が移動時間に比例すること、833Kでのバブル移動の拡散係数は直径に依存し、4~12nmにわたって変化すると、拡散係数は10$$^{-14}$$から10$$^{-16}$$cm$$^{-2}$$s$$^{-1}$$にわたって変化することなどの結果を得た。これらの結果に基いて、Al中のヘリウムバブルの移動の拡散係数の直径および温度依存性を解析し、バブルの移動機構を検討した。また結晶粒界に沿っての移動度は粒内よりも大きいことを認めた。

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